Crescita e proprietà elettroniche di sistemi a bassa dimensione basati sul grafene

Lo scopo principale del ricercatore sarà la crescita e lo studio principalmente con fotoemissione risolta in angolo (ARPES) ed XPS, sia con sorgente di laboratorio sia presso laboratori di luce di sincrotrone (SR), di grafene preparato su metalli o di grafene confinato 1D tramite precursori molecolari. Il progetto farà uso di diverse tecniche sperimentali, dalla ARPES alla XPS alla diffrazione con elettroni lenti, all'assorbimento di raggi X con SR (anche con radiazione polarizzata) e fotoemissione. Il ricercatore dovrà far crescere il grafene su metalli e nastri tramite precursori molecolari, e potrà adsorbire o intercalare diversi sistemi atomici e molecolari, per modificare e studiare le proprietà del sistema.
Responsabile Scientifico o Didattico: 
Carlo Mariani
SSD: 
FIS/03
estremi atto di conferimento: 
49
anno: 
2015
Tipo: 
Assegni di ricerca
oggetto: 
Oggetto della prestazione
pdf_bando: 
AllegatoDimensione
PDF icon Mariani_49_2015.pdf364.39 KB
data scadenza: 
Venerdì, 24 Aprile, 2015 - 00:00
posti: 
1
Allegato A: 
Compenso: 
€uro 19 367.00
ufficio e responsabile procedimento: 
Ufficio Assegni di Ricerca e Ricercatori TD
Titolare della prestazione: 
Simone LISI
Delibera del Consiglio di Dipartimento: 
Mercoledì, 18 Marzo, 2015 - 00:00

L' Università degli Studi di Roma "La Sapienza" - Piazzale Aldo Moro 5, 00185 Roma