Crescita e proprietà elettroniche di sistemi a bassa dimensione basati sul grafene
Lo scopo principale del ricercatore sarà la crescita e lo studio principalmente con fotoemissione risolta in angolo (ARPES) ed XPS, sia con sorgente di laboratorio sia presso laboratori di luce di sincrotrone (SR), di grafene preparato su metalli o di grafene confinato 1D tramite precursori molecolari.
Il progetto farà uso di diverse tecniche sperimentali, dalla ARPES alla XPS alla diffrazione con elettroni lenti, all'assorbimento di raggi X con SR (anche con radiazione polarizzata) e fotoemissione.
Il ricercatore dovrà far crescere il grafene su metalli e nastri tramite precursori molecolari, e potrà adsorbire o intercalare diversi sistemi atomici e molecolari, per modificare e studiare le proprietà del sistema.
Responsabile Scientifico o Didattico:
Carlo Mariani
SSD:
FIS/03
estremi atto di conferimento:
49
anno:
2015
Tipo:
Assegni di ricerca
oggetto:
Oggetto della prestazione
pdf_bando:
Allegato | Dimensione |
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Mariani_49_2015.pdf | 364.39 KB |
data scadenza:
Venerdì, 24 Aprile, 2015 - 00:00
posti:
1
approvazione:
Allegato A:
Compenso:
€uro 19 367.00
ufficio e responsabile procedimento:
Ufficio Assegni di Ricerca e Ricercatori TD
Titolare della prestazione:
Simone LISI
Delibera del Consiglio di Dipartimento:
Mercoledì, 18 Marzo, 2015 - 00:00