Dipartimento di Fisica

Creazione controllata in posizione sulla scala del nanometro di regioni emettitrici di luce o schiere ordinate di LED tramite scrittura laser di diodi p-i-n di (InGa)(AsN) idrogenato. La diffusione dellÔÇÖidrogeno indotta da laser per fabbricare LED nanometrici in nitruri diluiti non ├¿ stata mai riportata. Questa ricerca rappresenta un nuova concezione di interesse fondamentale e di importanza tecnologica. Le strutture p-i-n di (InGa)(AsN) saranno cresciute presso lÔÇÖUniversit├á di Marburgo e Lancaster tramite diverse tecniche epitassiali, fabbricate allÔÇÖUniversit├á di Sheffield e idrogenate a Roma. Gli esperimenti di scrittura laser verranno condotti allÔÇÖUniversit├á di Nottingham in collaborazione con lÔÇÖUniversit├á di Cadice per studi di microscopia elettronica a scansione e trasmissione. Lo sviluppo dei materiali sar├á indirizzato a lunghezze dÔÇÖonda chiave, cio├¿ 1.31e 1.55 ╬╝m.